碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了。
2019-10-24 10:36
本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍
2023-04-23 09:58
碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅半导体材料的电力电子器件，近年来在功率电子领域迅速崭露头角。与传统的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的击穿电场、更高的
2024-09-11 10:25
摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究，深入分析干扰产生的机理，提出多种解决策略，旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠性，为碳化硅
2025-08-08 11:38 新启航半导体有限公司 企业号
一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料，其总厚度偏差（TTV）是衡量产品质量的关键指标，直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响，其中生长工艺参数起着决定性
2025-09-18 14:44 新启航半导体有限公司 企业号
摘要 本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪，系统阐述其操作规范与实用技巧，通过规范测量流程、分享操作要点，旨在提高测量准确性与效率，为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提供标准化操作
2025-08-20 12:01 新启航半导体有限公司 企业号
在之前的两篇推文中粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战？5步法应对碳化硅特定挑战，mark~，我们介绍了宽禁带半导体基础知识、碳化硅制造挑战、碳化硅生态
2025-01-09 10:31
提供理论与技术支持。 引言 随着碳化硅半导体产业的蓬勃发展，对碳化硅衬底质量要求日益严苛，晶圆总厚度变化（TTV）作为关键质量指标，其精确测量至关重要。激光干涉法
2025-08-12 13:20 新启航半导体有限公司 企业号
质量评估提供更可靠的数据支持。 引言 在碳化硅半导体制造领域，晶圆总厚度变化（TTV）不均匀性是影响器件性能和良率的关键因素。精确测量 TTV 厚度不均匀性有助于及时发
2025-08-28 14:03 新启航半导体有限公司 企业号
，为碳化硅衬底生产与研发提供可靠的测量保障。 引言 在碳化硅半导体产业中，精确测量衬底 TTV 厚度对把控产品质量、优化生产工艺至关重要。而测量设备的性能直接影响
2025-08-11 11:23 新启航半导体有限公司 企业号
