碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然
2023-12-08 09:49
碳化硅(SiC)又叫金刚砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成,其实碳化硅很久以前就被发现了。
2019-10-24 10:36
第三代半导体性能优越,应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础,经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐
2024-01-16 10:48
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成
2023-08-19 11:45
本文介绍了激光在碳化硅(SiC)半导体晶圆制程中的应用,概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理,并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍
2023-04-23 09:58
碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制
2024-01-09 09:26
众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺
2023-07-10 10:49
签订战略合作协议,合作内容包含了基于某些客户的需求,进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块,及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估
2020-11-24 11:51
碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代
2020-10-02 18:20
晶片切割是半导体器件制造的关键步骤,切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本,同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料,在电子领域中具有重要地位。高质量
2024-01-23 09:42