碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半
2020-10-02 18:20
第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代
2024-01-16 10:48
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。
2023-08-19 11:45
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然
2023-12-08 09:49
碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了。
2019-10-24 10:36
碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用
2024-01-09 09:26
碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的电学特性，其中禁带宽度 （2.3~3.3eV）约是Si 的3倍，击穿电场强度（0.8×10⁶~3×10⁶V/cm）约是Si的10倍，饱和
2023-11-10 09:22
碳化硅功率器件的研发始于20世纪90年代，目前已成为新型功率半导体器件研究开发的主流。业界普遍认为碳化硅功率器件是一种真正的创新技术，有助于对抗全球气候变化，推动太阳能和节能照明系统的市场发展。
2020-10-02 17:48
本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍
2023-04-23 09:58
晶片切割是半导体器件制造的关键步骤，切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本，同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料，在电子领域中具
2024-01-23 09:42
