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  • 碳化硅半导体器件有哪些?

      由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,

    2020-06-28 17:30

  • 被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点

    是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和

    2023-02-20 15:15

  • 传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)

    效率方面,相较于硅晶体管在单极(Unipolar)操作下无法支持高电压,碳化硅即便是在高电压条件下,一样可以支持单极操作,因此其功率损失、转换效率等指针性能的表现,也显著优于硅组件。目前大功率电力设备

    2021-09-23 15:02

  • 碳化硅深层的特性

    碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无

    2019-07-04 04:20

  • 浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

    MOSFET更好的在系统中应用,需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。  接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品  基本半导体自主研发的

    2023-02-27 16:03

  • 650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型

      碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料

    2020-09-24 16:22

  • 大功率半导体激光器驱动电源的设计

    近年来,随着大功率半导体激光器技术的快速发展,大功率半导体激光器在材料加工、激光照明、

    2018-08-13 15:39

  • 碳化硅(SiC)肖特基二极管的特点

    PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。  但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。  二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率

    2019-01-11 13:42

  • 大功率半导体激光电源的作用有哪些

    大功率半导体激光电源 输出功率涵盖10W至500W,具有更高的电光转换效率半导体直接输出

    2021-12-29 07:24

  • 碳化硅肖特基二极管的基本特征分析

      碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(49W/mK)使功率

    2023-02-28 16:34