第三代半导体性能优越,应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础,经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐
2024-01-16 10:48
碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型
2023-12-08 09:49
碳化硅(SiC)又叫金刚砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成,其实碳化硅很久以前就被发现了。
2019-10-24 10:36
本文介绍了激光在碳化硅(SiC)半导体晶圆制程中的应用,概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理,并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍
2023-04-23 09:58
功率半导体和宽禁半导体是两种不同类型的半导体材料,它们在电子器件中的应用有着很大的不同。以下是它们之间的一些主要区别: 材料类型:功率
2024-07-31 09:07
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要
2023-08-19 11:45
宽带隙半导体使许多以前使用硅(Si)无法实现的高功率应用成为可能,两种材料的特性说明了为什么碳化硅二极管(SiC)在多个指标上具有明显的优势。
2023-10-30 14:11
碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工,包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延;第二部分芯片加工,这部分跟硅基IGBT类似。
2024-01-25 09:51
碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术,它可以用于控制电流和电压,以及检测电阻、电容、电压和电流等参数,以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技术的关键技术包括结构设计、材料选择、工艺制程、测试技术等。
2023-02-15 16:19