碳化硅（SiC）在半导体中扮演着至关重要的角色，其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅
2025-01-23 17:09
基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，
2021-11-29 14:54
碳化硅SiC制造工艺详解 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，其制造工艺涉及多个复杂步骤，以下是对SiC制造
2024-11-25 16:32
碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而，由于
2024-01-11 17:33
碳化硅（SiC）在半导体产业中的发展呈现出蓬勃的态势，其独特的物理和化学性质使其成为新一代高性能半导体材料的佼佼者。以下是对碳化硅在
2024-11-29 09:30
目前，全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测，未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计，2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元，该数据包括多家上市公司，如意法
2023-12-06 17:17
碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅
2022-10-24 11:12
碳化硅是一种结构稳定的碳和硅的化合物，它是由碳原子和硅原子组成的类似金刚石的结构。碳化硅具有优异的电学性能，具有高热稳定性、高绝缘性、高耐磨性、高抗拉强度和高抗温度变化等特点。此外，它还具有低摩擦系数、低温度热膨胀系数和低比重等优点。
2023-02-14 16:42
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面
2023-12-27 14:54
与普通硅相比，碳化硅可以承受更高的电压，因此，碳化硅半导体中的电源系统需要更少的串联开关，从而提供了简化和可靠的系统布局。
2022-04-07 14:49
