电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一，有2100℃。2)高硬度。
2019-07-04 04:20
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括
2020-06-28 17:30
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件（如 TO-247）是将碳化硅集成到各种应用中的第一步，但对于更强大和更
2023-02-20 16:29
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39
范围-5V~-15V，客户根据需求选择合适值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 优先稳定正电压，保证开通稳定。 2）碳化硅MOSFET：不同厂家碳化硅MOSFET对开关电压要求不尽相同
2023-02-27 16:03
效率方面，相较于硅晶体管在单极(Unipolar)操作下无法支持高电压，碳化硅即便是在高电压条件下，一样可以支持单极操作，因此其功率损失、转换效率等指针性能的表现，也显著优于硅组件。目前大功率电力设备
2021-09-23 15:02
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32
和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造，外径范围为 6 至 30
2024-03-08 08:37
一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅
2019-01-11 13:42
