摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速
2023-02-22 16:06
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅
2020-06-28 17:30
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不
2019-07-04 04:20
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件（如 TO-247）是将碳化硅集成到各种应
2023-02-20 16:29
风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受时间更短。 1）硅IGBT： 硅IGBT的承受退保和短路的时间一般小于
2023-02-27 16:03
效率方面，相较于硅晶体管在单极(Unipolar)操作下无法支持高电压，碳化硅即便是在高电压条件下，一样可以支持单极操作，因此其功率损失、转换效率等指针性能的表现，也显著优于硅组件。目前大
2021-09-23 15:02
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅
2019-01-11 13:42
用于电机驱动领域的优势，寻找出适合碳化硅功率器件的电机驱动场合，开发工程应用技术。现已有Sct3017AL在实验室初步用于无感控制驱动技术中，为了进一步测试
2020-04-21 16:04
