SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解说明。
2021-04-26 10:11
SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮：国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅
2025-06-07 06:17
碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。
2022-10-24 11:12
目前汽车业仍结构性缺芯，比如，电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像碳化硅芯片项目投资建设期需18-24个月，去年有许多碳化硅项目的投资，要2025年才会释放产能，预计2025年
2023-11-17 17:12
碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工，包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延；第二部分芯片加工，这部分跟硅基IGBT类似。
2024-01-25 09:51
日本媒体报道称日本罗姆（ROHM）12月将开始量产下一代功率半导体。原材料是碳化硅（SiC），罗姆花费约20年推进了研发。据称，罗姆在福冈县筑后市工厂的碳化硅
2022-11-28 16:51
从Wolfspeed破产到中国碳化硅崛起：国产SiC碳化硅功率半导体的范式突破与全球产业重构 一、Wolfspeed的陨落：技术霸权崩塌的深层逻辑 作为
2025-05-21 09:49
中低压产品性能可靠性满足应用要求，产品耐压提升到2000V及以上. 产品发展到第三代，采用新型栅氧、沟槽结构、集成肖特基二极管等技术.
2023-06-12 15:01
