SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
特性比较 1、碳化硅肖特基二极管器件结构和特征 用碳化硅肖特基二极管替换快速PN 结的快速恢复
2023-02-28 16:34
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅
2019-01-11 13:42
商用。 碳化硅肖特基二极管从2001年开始商用，至今已有20年商用积累，并在部分高中端电源市场批量应用，逐步向通用市场渗透，具备广阔的市场前景。 碳化硅材料在禁带宽度和临界击穿场强等关键特性上具有
2023-02-28 16:55
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 产品优点 综上所述，基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点： 更低VF：第三代二极管具有更低VF，同时
2023-02-28 17:13
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额
2020-06-28 17:30
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极
2023-02-22 15:27
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。二、碳化硅
2023-02-15 14:24
