)碳化硅器件为减少功率器件体积和降低电路损耗作出了重要贡献。 碳化硅的不足是： 碳化硅圆片的价格还较高,其缺陷也多。 三、碳化硅肖特基
2019-01-11 13:42
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
％至 97％的系统效率。此外，CoolSiC 肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言，该器件是实现硬换向的理想器件，损耗可降低 30%。由于具有较低的冷却要求，该二极管还能降低系统成本，带来极佳的性价比优势。详情见附件。。。。。。
2021-03-29 11:00
的一幅图是传统的碳化硅肖特基二极管。中间的图是带PIN结构的MPS二极管的结构，它的特点是在肖特基接触区增加了一些P型结构。相比于标准的
2019-01-02 13:57
点右面时，变换器工作在高于谐振频率的降压状态，其特点是高频率工作可以减小原边励磁电流有效值，从而降低环流带来的导通环流损耗。但此时碳化硅MOSFET和输出二极管工作在硬关断状态，会增加关断损耗。另外
2016-08-05 14:32
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
) 碳化硅MOSFET具有极低的体二极管反向恢复时间(trr)及反向恢复电荷(Qrr)从而降低二极管开关损耗及操声,便于实现LLC谐振宽范围工作。同一额定电流器件，碳化硅
2016-08-25 14:39
激光二极管作为光源。 常用的激光二极管有两种: ①PIN光电二极管。它在收到光功率产生光电流时,会带来量子噪声。 ②雪崩光电二极管。它能够提供内部放大,比PIN光
2011-09-23 15:20
肖特基二极管结构：肖特基二极管在结构原理上与。PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（金、银、铝、钼、铂等材料制造成阻挡层）、二氧化硅消除边缘区域的电场（提高管子
2020-11-16 16:34
