开关电源小型化,并降低产品噪音。 2、碳化硅肖特基二极管的正向特性 碳化硅肖特基二极管的开启导
2023-02-28 16:34
反向恢复电流,其关断过程很快,开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高,可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21
PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。
2019-01-11 13:42
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
二极管具有明显优势;下面结合碳化硅肖特基二极管的结构图,谈谈碳化硅肖特基二极管的
2023-02-28 16:55
碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管,号称反向
2023-02-10 17:45
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导
2023-04-11 15:29
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)是一种单极型器件,采用结势垒肖特基二极管结构(JBS),因此相比于传统的硅快恢复二极管(SiFRD),
2020-11-17 15:55
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅
2023-06-02 14:10