反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21
特性比较 1、碳化硅肖特基二极管器件结构和特征 用碳化硅肖特基二极管替换快速PN 结的快速恢复二极管（FRD），能够
2023-02-28 16:34
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。
2019-01-11 13:42
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
二极管具有明显优势；下面结合碳化硅肖特基二极管的结构图，谈谈碳化硅肖特基二极管的
2023-02-28 16:55
碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向
2023-02-10 17:45
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22
碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），
2020-11-17 15:55
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅
2023-06-02 14:10
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基
2023-02-28 17:13
