导通电压比对，碳化硅肖特基二极管的导通压降为1.5V，硅快速恢复二极管的导
2023-02-28 16:34
二极管具有明显优势；下面结合碳化硅肖特基二极管的结构图，谈谈碳化硅肖特基二极管的
2023-02-28 16:55
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、
2019-01-11 13:42
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
了第一代和第二代产品的优点，采用JBS结构，优化了N-外延层的掺杂浓度，减薄N+衬底层，使得二极管具有更低的正向导通压降VF和结电荷QC，可以降低应用端的
2023-02-28 17:13
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极
2023-02-22 15:27
二极管的参数是选用二极管的决定性因素之一，二极管的压降的其中的一种。 二极管
2021-03-22 17:25
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30
、场效应器件和特殊的肖特基二极管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅单载波器件具有薄漂移区和低导通电阻，比硅器件小约100-300倍。由于
2023-02-07 15:59
