SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅
2019-01-11 13:42
），P阱与N-形成的PiN会投入工作，减小浪涌时刻VF的增长，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力。 图（4）二极管正向与电流密度关系图 基本半导体B1D系列碳化硅肖
2023-02-28 16:55
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22
了第一代和第二代产品的优点，采用JBS结构，优化了N-外延层的掺杂浓度，减薄N+衬底层，使得二极管具有更低的正向导通压降VF和结电荷QC，可以降低应用端的导通损耗和开关损耗。 图（1）
2023-02-28 17:13
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极
2023-02-22 15:27
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率
2020-06-28 17:30
的一幅图是传统的碳化硅肖特基二极管。中间的图是带PIN结构的MPS二极管的结构，它的特点是在肖特基接触区增加了一些P型结
2019-01-02 13:57
