以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1
2021-06-30 16:37
：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大
2016-11-14 20:04
200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面
2020-06-28 17:30
快恢复二极管反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快
2021-05-14 14:12
的电荷，这些电荷必须在二极管能够阻断反向电压前重新组合。这个重新组合是温度、正向电流、Ifwd、电流的di/dt，以及其它因数的函数。图2：
2018-09-03 15:17
通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔，它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为
2021-08-13 17:15
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14
整流二极管的反向恢复过程
2021-01-08 06:22
二极管是单向导通，那么反向恢复时间是什么，需要怎么测试
2023-09-27 07:51
