PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。
2019-01-11 13:42
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向
2020-03-13 13:42
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅F
2022-11-17 06:32
`<div> 揭秘肖特基二极管的反向恢复时间 肖特基二极管和一般二极管的差异在于反向恢复
2018-11-02 11:54
碳化硅为半导体材料设计的肖特基二极管，由于碳化硅的优点，它的应用范围可以扩展到200V以上场合。对于不同的应用，碳化硅肖特基二极
2019-01-02 13:57
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、
2021-09-09 06:52
? 通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是最近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高
2012-07-15 15:28
减少，反向恢复时间trr可低至几十纳秒。 肖特基二极管是肖特基势垒二极管的简称，它的构造原理与普通PN结二极管有着很大区别：其内部是由阳极金属(用金、银、钼、铝等)、
2021-05-14 08:11
0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种
2019-01-08 13:56
