是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。
2023-02-15 14:24
5A、10A和15A对应的反向恢复电流分别是9.3A、13.0A和15.8A； 碳化硅肖特基二极管在5A、10A和15A对应的反向恢复电流分别是2.5A、3.1A和3
2023-02-28 16:34
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。
2019-01-11 13:42
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22
）结构示意图，其结构大致可分为四部分，上表面阳极金属、外延层（漂移区+缓冲区）、衬底层和背面阴极金属。 作为单极型器件，碳化硅肖特基二极管优点尤为突出，其“反向恢复为零”的特点让其
2023-02-28 16:55
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电
2020-03-13 13:42
反向恢复的几种方法为解决功率二极管反向恢复问题已经出现了很多种方案。一种思路是从器件本身出发，寻找新的材料力图从根本上解决这一问题，比如
2017-08-17 18:13
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面
2020-06-28 17:30
一步提升电源效率。针对上述情况，解决方案有以下两种。 方案一：将IGBT单管上反并联的快速恢复二极管换成基本半导体的“零反向恢复”的碳化硅肖特基
2023-02-28 16:48
