碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅
2023-02-08 17:23
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢复二极管FR101-FR105150nsSR260肖特基二极管 10ns左右反向恢复时间短，特别适用于高频电路。
2023-02-15 14:24
5A、10A和15A对应的反向恢复电流分别是9.3A、13.0A和15.8A； 碳化硅肖特基二极管在5A、10A和15A对应的反向恢复电流分别是2.5A、3.1A和3
2023-02-28 16:34
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二
2019-10-24 14:21
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。
2019-01-11 13:42
碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称
2023-02-10 17:45
碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管
2020-11-17 15:55
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22
）结构示意图，其结构大致可分为四部分，上表面阳极金属、外延层（漂移区+缓冲区）、衬底层和背面阴极金属。 作为单极型器件，碳化硅肖特基二极管优点尤为突出，其“反向恢复为零”的特点让其
2023-02-28 16:55
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
