SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二
2019-10-24 14:21
导通电压比对，碳化硅肖特基二极管的导通压降为1.5V，硅快速恢复二极管的导通压降为1.7V，
2023-02-28 16:34
。 正向导通压降VF：衡量二极管正向导通性能最重要的参数，对工程师而言，需要更关注VF与Tj的依赖性关系。这里以基本半导体650V 10A TO-220封装碳化硅肖特
2023-02-28 16:55
碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向
2023-02-10 17:45
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅
2019-01-11 13:42
碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），
2020-11-17 15:55
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅
2023-06-02 14:10
，源于中间的低掺杂i层承载了主要的电压降。提高I区的厚度，降低I区的掺杂浓度，能够有效提高PIN二极管的反向击穿电压，但I区的存在会在一定程度上提高整个器件的正向压降V
2018-11-20 15:28
不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断
2020-09-24 16:22
