SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
)碳化硅器件为减少功率器件体积和降低电路损耗作出了重要贡献。 碳化硅的不足是： 碳化硅圆片的价格还较高,其缺陷也多。 三、
2019-01-11 13:42
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
的一幅图是传统的碳化硅肖特基二极管。中间的图是带PIN结构的MPS二极管的结构，它的特点是在肖特基接触区增加了一些P型结
2019-01-02 13:57
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00
来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管
2012-07-12 15:40
得到更低栅极开关驱动损耗（图1）.碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，同一额定电流900V的器件，碳化硅MOSFE
2016-08-05 14:32
电流值往往可达几百。 4、什么是二极管的正向导通压降? 二极管在正向导通，流过电流的时候会产生压降。这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅二极管，电流越大，压降越大。温度越高，压降越小。但是
2012-07-15 15:28
) 碳化硅MOSFET具有极低的体二极管反向恢复时间(trr)及反向恢复电荷(Qrr)从而降低二极管开关损耗及操声,便于实现LLC谐振宽范围工作。同一额定电流器件，碳化硅
2016-08-25 14:39
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
