一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化
2022-12-13 10:01
碳化硅和氮化镓技术的“甜区”在哪里？
2021-06-02 11:14
第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较于
2024-01-16 10:48
性能是一个主观术语 - 它可以以任意多种方式进行衡量，但在功率转换领域，它归结为两个相互依赖的主要值，效率和成本。众所周知，硅作为半导体开关材料在传导和动态损耗性能方面都达到了极限，因此越来越多地考虑碳化硅和氮化镓宽
2023-02-20 09:10
近年来，以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管，以其宽带隙，高电场强度，良好散热特性，
2018-09-24 09:13
FLOSFIA公司的厉害之处，恰恰是克服了这一阻碍新技术发展的、高成本这一问题。碳化硅和氮化镓成本高的原因在于其从密度较小的气体通过结晶的方法获得。密度越小，做的东西越少，花费的时间也越多。
2019-02-26 16:02
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体即宽带隙半导体，具有高频、高效率、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等优异性能，满足了节能减排等国家重大战略需求，智能制造和信息安全，是支持新一代移动通信、新能源
2023-02-15 15:31
在进行碳化硅、氮化镓功率器件研发和特性评估、功率模块开发和特性评估、电源设计器件选型、电源调试以及学术研究时，都需要对其驱动波形进行测试，这时大多数工程师会选择使用光隔离探头来获取准确的开关过程驱动波形和串扰过程驱动
2022-12-09 11:08
碳化硅和氮化镓开关器件是所有电源电路中主要使用的元件。尽管它们在运行速度、高电压、处理电流和低功耗等固有特性方面取得了优异的成绩，但设计人员将所有注意力都集中在此类设备上，而常常忘记将自己的精力投入到相关的驱动器上。
2022-07-29 11:09
如今，以碳化硅、氮化镓等为代表的第三代半导体新材料得到广泛应用，它们具有更高的导热率和抗辐射能力，以及更大的电子饱和漂移速率等特点。氮化
2024-09-12 11:21
