5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21
碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽
2023-12-08 11:28
引言 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种具有重要应用前景的第三代半导体材料。它们具有高热导率、高电子迁移率、高击穿场强等优异的物理化学性质，被广泛应用于高温、高频、高功率等极端环境下的电子器件
2024-09-02 11:19
1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33
几十年来，硅主宰了晶体管世界。但这正在改变。由两种或三种材料组成的复合半导体已经开发出来，具有独特的优势和优越的财产。例如，利用化合物半导体，开发了发光二极管（led）。一种类型由砷化镓（GaAs）和砷化镓（GaAsP）组成。其他的使用铟和磷。
2023-02-05 11:01
不久前，SiC和GaN器件的应用还被认为是困难的，但到了2018年，这些技术的优势开始被应用到现实生活中。这项新技术成功背后的原因是什么？ SiC 和 GaN 被称为宽带隙 (WBG) 半导体，因为将这些材料的电子从价带炸开到导带所需的能量：而在硅 (Si) 的情况下，该能量为 1.1 eV， SiC 为 3.3 eV，GaN 为 3.4 eV。这导致更高的适用击穿电压，在某些应用中可达到 1,200 至 1,700 V。由于所使用的生产工艺，WBG 设备具有以下优势： 非常低的内部电阻，与硅等效器件相比，
2022-07-28 16:45
经典电力电子设备中使用的所有类型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，经典的硅器件在许多应用领域已经达到了极限。鉴于这些前提，很明显 WBG 技术是电力电子未来的基础，并为各种应用领域的新可能性奠定了基础。
2022-08-08 10:14
在这个电子产品更新换代速度惊人的时代，半导体市场的前景无疑是光明的。新型功率半导体材料，比如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，因其独特的优势正成为行业内的热门话题。
2024-04-07 11:37 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）被称为“宽带隙半导体”（WBG）。在带隙宽度中，硅为1.1eV，SiC为3.3eV，GaN为3.4eV，因此宽带隙半导体具有更高的击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700
2023-02-05 14:13
