Low Leakage Current Electrolytic Capacitors 低泄漏電流電解電容器CONDENSATORE
2022-07-05 17:00 华凯电容（深圳）有限公司 企业号
DS90UB954TRGZRQ1 双路 路 4.16Gbps FPD-Link III 解 串 器 集 线 器： 适 用于 于 2MP/60fps 摄 像 头
2022-08-03 11:23 深圳市金和信科技有限公司 企业号
### 一、AP30N30W-VB 产品简介AP30N30W-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用了沟槽技术，封装为TO3P。它具有高达250V的漏源电压承受能
2024-12-17 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号
BW-N4W5+ 4 dB 连接器固定衰减器产品介绍在高频信号传输系统中，衰减器是确保信号质量和设备稳定性的关键元件。BW-N4
2024-10-30 12:38 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**88N30W-VB**是一款单N沟道MOSFET，采用TO3P封装，设计用于高压应用场合。该器件具有较高的漏极-源极电压（VDS），适合需要处理高电压和大电流的应用。### 详细
2024-11-22 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的18N50W-VB是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有600V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。该器件采用SJ_Multi-EPI
2024-07-08 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介30N30W-VB 是一款由 VBsemi 生产的单通道 N 型 MOSFET，采用 TO3P 封装。该器件具有高漏源电压和低导通电阻，适用于高功率开关和电源管理应用。### 详细
2024-11-04 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。### AP95N25W-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO247- **配置**: 单N沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**: 250V- **栅极-源
2024-12-25 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
要求高效能和可靠性的功率电子设计。### 详细规格- **型号**: AP10N60W-VB- **封装**: TO3P- **配置**: 单 N 沟道- **漏
2024-12-16 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
