本文追溯了电力电子的历史，可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界，看看电子世界是如何在短短几年内因新的 SiC 和 GaN
2022-08-01 11:25
碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点， 是替代高压硅MOSFET 的理想器件之一。
2024-04-01 11:23
在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。
2023-07-07 10:11
本文介绍了一种多级图腾柱PFC拓扑，该拓扑利用硅MOSFET的简单性和成熟度以及一种新颖的模块化栅极驱动方法，实现了与使用宽带隙半导体的传统电路相比，通常具有相当的效率和更低的成本。
2022-10-19 17:44
东微半导体的GreenMOS系列产品是国内最早量产并进入工业级应用的高压超级结产品系列，在国产品牌中占有领先地位，广泛应用于充电桩模块，通讯电源等大功率应用领域。
2020-04-22 17:09
点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事
2023-10-18 16:05
在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明 显的优势。
2023-05-26 09:52
点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和 IGBT相比具有显著优势。SiCMOSFET很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应
2023-11-09 10:10
GaN晶体管比硅mosfet快得多，体积小得多。GaN的性能表明，效率和性能有了显著的提高，导致了一些新的应用，这是硅技术无法实现的。
2021-01-27 16:01
本文作者：安森美业务拓展工程师Didier Balocco 在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用
2023-07-18 19:05
