硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号
2023-02-27 16:03
日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58
。MOSFET包括在CMOS和BiCMOS数字逻辑电路中，因为有源极和漏极之间的绝缘，所以MOSFET功耗低。另外MOSFET比JFET加工过程简单，硅的利用更经济，与
2012-12-10 21:37
。MOSFET包括在CMOS和BiCMOS数字逻辑电路中，因为有源极和漏极之间的绝缘，所以MOSFET功耗低。另外MOSFET比JFET加工过程简单，硅的利用更经济，与
2012-01-06 22:55
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代
2019-07-08 08:28
与齐纳二极管并联，与漏源端子并联。在雪崩期间，现代MOSFET可以耗散很多，但不建议让零件连续雪崩，而只能在接通等过载情况下。雪崩是产生EMI的随机过程。 3、Rdson，开关损耗 标准硅MOSFET
2023-02-20 16:40
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet
2023-06-16 06:04
金属-氧化层半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路
2020-07-06 11:28
