日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01
本文追溯了电力电子的历史，可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界，看看电子世界是如何在短短几年内因新的 SiC 和 GaN
2022-08-01 11:25
碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点， 是替代高压硅MOSFET 的理想器件之一。
2024-04-01 11:23
在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。
2023-07-07 10:11
与齐纳二极管并联，与漏源端子并联。在雪崩期间，现代MOSFET可以耗散很多，但不建议让零件连续雪崩，而只能在接通等过载情况下。雪崩是产生EMI的随机过程。 3、Rdson，开关损耗 标准硅MOSFET
2023-02-20 16:40
本文介绍了一种多级图腾柱PFC拓扑，该拓扑利用硅MOSFET的简单性和成熟度以及一种新颖的模块化栅极驱动方法，实现了与使用宽带隙半导体的传统电路相比，通常具有相当的效率和更低的成本。
2022-10-19 17:44
电感，会由于高di/dt电流而影响到下桥栅极驱动。其中一个解决方案就是将分流电阻器放在上桥MOSFET的漏极内，这样的话，分流电阻器就不会影响到栅极驱动了。Vishay VCS1625/Y08500R01000F9R就具有这样的功能—它内置有开尔文连接，并且具有能够减少电感的结构…
2022-11-17 06:53
东微半导体的GreenMOS系列产品是国内最早量产并进入工业级应用的高压超级结产品系列，在国产品牌中占有领先地位，广泛应用于充电桩模块，通讯电源等大功率应用领域。
2020-04-22 17:09
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事
2023-10-18 16:05
