低压化学气相沉积、固相晶化、准分子激光晶化、快速热退火、金属诱导晶化、等离子体增强化学反应气相沉积等是目前用于制备多晶硅薄膜的几种主要方法。它们具有各自不同的制备
2011-10-18 12:04
我们已经使用“种子层概念”在薄膜太阳能电池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，该概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(种子层)的外延增厚。由于玻璃衬底，所有工艺步骤都被限制在
2022-04-13 15:24
CVD 技术是一种在真空环境中通过衬底表面化学反应来进行薄膜生长的过程，较短的工艺时间以及所制备薄膜的高致密性，使 CVD 技术被越来越多地应用于薄膜封装工艺中无机阻挡
2025-05-14 10:18
芯片晶圆里TaN薄膜是什么？TaN薄膜的性质、制备方法 TaN薄膜是一种在芯片晶圆制备过程中常用的材料。它具有高熔点、高
2023-12-19 11:48
迄今为止， 石墨烯的制备方法主要有机械剥离法、液相剥离法、碳化硅外延法、化学气相沉积法 （Chemical vapor deposition，CVD）等。其中， CVD法制备的石墨烯薄膜，尤其是在铜等金属衬底上生长的
2023-02-22 11:28
上海微系统所异质集成XOI课题组孵化的上海新硅聚合半导体有限公司（简称：新硅聚合）近期实现了6英寸的光学级硅基高均匀性铌酸锂薄膜（LNOI）的工程化
2023-06-09 09:43
本文简单介绍一下半导体镀膜的相关知识，基础的薄膜制备方法包含热蒸发和溅射法两类。
2025-06-26 14:03
本文从硅片制备流程为切入点，以方便了解和选择合适的硅晶圆，硅晶圆的制备工艺流程比较复杂，加工工序多而长，所以必须严格控制每道工序的加工质量，才能获得满足工艺技术要求、质
2024-10-21 15:22
本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜，采用湿蚀刻技术制备黑硅，样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明，氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅
2022-03-29 16:02
一、氮化硅薄膜制备方法及用途 氮化硅（Si3N4）薄膜是一种应用广泛的介质材料。作为非晶态绝缘体，氮化硅薄膜的介电特性优于二氧化硅，具有对可移动离子较强的阻挡能力、结构
2024-11-24 09:33
