在加工、运输、检验等等工序时产生的崩边。倒角后的晶圆由于有了一个比较圆滑的边缘，不易再产生崩边，使后面工序加工的合格率大幅提高。在抛光工艺中，如果晶圆不被倒角，晶圆锋利
2019-09-17 16:41
加工工艺成熟，与IC工艺兼容性好，可以在单个直径为几十毫米的单晶硅基片上批量生成数百个MEMS装置。美国加州大学Berkeley分校的传感器与执行器
2018-11-05 15:42
抛光工艺是指激光切割好钢片后，对钢片表面进行毛刺处理的一个工艺。电解抛光处理后的效果要优于打磨抛光，因此电解
2018-09-22 14:02
挑战性。在这项研究中，我们研究了 BCB 的化学机械平坦化 (CMP)，以便在这种平坦化的表面上制作超薄粘合层。采用实验设计的方法来研究不同的浆料成分、
2021-07-08 13:14
新型铜互连方法—电化学机械抛光技术研究进展多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光（ＣＭＰ）技术带来了巨大的挑战，低ｋ 介质的脆弱性难以承受传统ＣＭＰ
2009-10-06 10:08
超精密双面抛光机控制系统的研究介绍了超精密双面抛光机的控制系统,对其实现方法进行了研究,分析了控制系统的组成,提出并建立了基于微机统一控制系统的解决方案。采用Windo
2009-08-08 09:46
清洁 - 表面问题：金属污染的起源：来源：设备、工艺、材料和人力，Si表面的过渡金属沉淀是关键。去污：可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42
，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻
2021-07-09 10:21
，12寸晶圆有较高的产能。当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅
2011-12-02 14:30
机械加工工艺分析 1 超精度研磨工艺 速加网机械的加工过程中对于其加工表面的粗糙程度有着严格的要求，如在（1～2）cm
2018-11-15 17:55
