在220V单相家用便携式焊机应用中，大部分设计是使用650V IGBT单管制作逆变电源，开关频率最高可以到50kHz，如果采用软开关技术，开关频率还能更高，也有使用650V硅基MOSFET为功率器件
2020-03-31 15:32
（GaN）晶体管已成为取代硅基MOSFET的高性能开关，可提供更高的能量转换效率并实现更大的密度。需要具有新规格的新隔离概念来解决GaN晶体管的优势。
2022-12-19 16:39
）晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。
2020-09-30 14:30
硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮
2023-02-06 16:44
碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，同一额定电流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二极管反向电荷只有同等电压规格硅基
2019-04-28 15:11
与传统的金属氧化物（LDMOS）半导体相比，硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%，每个单位面积的功率提升了4~6倍数，从而降低整体功耗，并且很重要的是能够扩展至高频率应用。同时
2018-11-10 11:29
锂电池硅基负极极片该如何制备呢？KarkarZ等人研究了硅电极的制备工艺。
2018-08-07 15:52
硅基氮化镓（SiGaN）集成电路芯片是一种新型的半导体材料，具有广阔的应用前景。它将硅基材料与氮化镓材料结合在一起，利用其优势来加速集成电路发展的速度。本文将介绍硅
2024-01-10 10:14
根据硅片厚度的不同，可分为晶体硅太阳能电池和薄膜硅太阳能电池两大类。本文主要论述以下几种硅基太阳能电池的基本原理：单晶硅
2017-05-09 15:58
硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征，是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产，具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优
2024-10-24 17:26
