日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01
硅基光电子集成芯片，摩尔定律：摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月
2021-07-27 08:18
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓
2017-09-04 15:02
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸
2017-08-29 11:21
长期以来，广泛的带隙氮化镓在硅（GaN硅）晶体管现在商业上可用。他们被吹捧为取代硅基MOSFET，这被证明是低效的许多高
2017-06-07 14:31
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅
2014-01-24 16:08
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00
极电阻 RCH : 沟道电阻 RJFET : JFET区电阻 REPI : 硅片顶层电阻，外延硅epi，epi控制着MOSFET可以承受的阻断电压的值 RSUBS : 硅衬底电阻，epi从它上面
2016-10-10 10:58
大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效 AC/DC 电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅 MOSFET 已达到其理论极限。同时，近来氮化镓（GaN）晶体管已成为能够取代
2020-12-10 23:29
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
