硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号
2023-02-27 16:03
硅基光电子集成芯片，摩尔定律：摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月
2021-07-27 08:18
状况。和硅双极型晶体管或GaAs MOSFET相比较，硅基LDMOSFET有失真小、线性度好、成本低的优点，成为目前RF 功率
2019-07-08 08:28
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓
2017-09-04 15:02
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00
日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01
硅基热敏电阻与MCU结合的优势NTC和PTC热敏电阻的优缺点
2021-03-09 06:56
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58
。MOSFET包括在CMOS和BiCMOS数字逻辑电路中，因为有源极和漏极之间的绝缘，所以MOSFET功耗低。另外MOSFET比JFET加工过程简单，硅的利用更经济，与
2012-12-10 21:37
正如每种医疗过程的背后都有着一门真正的科学，在确定用于辅助疾病的诊断和治疗的复杂医疗设备中的气流和硅基压力传感器的背后也存在着一门科学。三种使用气流和硅基压力传感器的医
2019-11-06 08:00
