在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入，以重新定义系统集成标准，使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。
2024-08-02 16:47
尽管SiC 基MOSFET的成本仍高于硅基MOSFET，但成本却下降了，电感和电容器的相关节省（其值低于
2022-05-09 10:52
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要参数特性，并通过对比硅
2025-02-02 13:48
中的未来前景。 如今，电源管理设计工程师常常会问道： 现在应该从硅基功率开关转向GaN开关了吗？ 氮化镓(GaN)技术相比传统硅基
2025-02-11 13:44
长期以来，广泛的带隙氮化镓在硅（GaN硅）晶体管现在商业上可用。他们被吹捧为取代硅基MOSFET，这被证明是低效的许多高
2017-06-07 14:31
市场在引入新技术时，成本是需要考虑的关键因素之一，但目前成本不是GaN的优势。GaN器件的主要竞争者是硅基MOSFET，后者已经上市多年，提供非常具有竞争力的成本，并且平均效率高、质量优良、可靠性
2018-12-24 17:00
随着硅基 MOSFET 和功率器件接近其物理极限，功率工程师已开始转向氮化镓 （GaN） 以提高性能并减小整体解决方案尺寸。
2022-08-03 14:49
硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（Si
2025-01-02 14:24
英飞凌再次引领行业潮流，最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技术创新和卓越性价比，在全球范围内树立了高压超级结MOSFET技术的新标杆。作为英飞凌新一代硅
2024-09-03 14:50
