硅基光电子集成芯片，摩尔定律：摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月
2021-07-27 08:18
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓
2017-09-04 15:02
硅基热敏电阻与MCU结合的优势NTC和PTC热敏电阻的优缺点
2021-03-09 06:56
正如每种医疗过程的背后都有着一门真正的科学，在确定用于辅助疾病的诊断和治疗的复杂医疗设备中的气流和硅基压力传感器的背后也存在着一门科学。三种使用气流和硅基压力传感器的医
2019-11-06 08:00
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅
2014-01-24 16:08
，特别是近年来碳纳米管的发展令人注目，在速度、集成度、特别是功耗方面都将有重大突破，但离开实际应用可能比硅基量子器件要更远一些。原文见王阳元院士在“纳米CMOS器件”书中写的序（2004年1月科学出版社出版）。 :
2018-08-24 16:30
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸
2017-08-29 11:21
如何去提高锂离子电池硅基负极循环性能？
2021-05-13 06:02
据显示，功率放大器（PA）功率附加效率（PAE） 最低要求 60%，而最好的硅基 CMOS 产品仅能做到 57%。由于击穿电压低、衬底绝缘性差、高频损耗大等先天缺陷，实际上在线性度、功率、效率、可靠性等
2017-07-18 16:38
