。 与硅芯片相比： 1、氮化镓芯片的功率损耗是硅
2023-08-21 17:06
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化
2023-06-15 14:17
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基
2017-09-04 15:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：氮化
2023-06-15 15:32
，2013年1月达到140lm为/W。 硅芯片和蓝宝石的区别，蓝宝石是透明衬底，硅衬垂直结构，白光出光均匀，容易配二次光学。硅衬底
2014-01-24 16:08
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是
2023-06-15 15:53
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用
2023-06-15 15:47
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。 首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（
2023-06-15 15:28
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率
2023-06-15 16:03
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓
2019-09-02 07:16
