• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • OLED运行的效果图

    使用的1.3寸OLED是I2C接口的对外有四个引脚,分别是VCC、GND、SCL、SDL。首先看一下运行的效果图:成功在小屏幕上显示“你好”。首先,我们需要配置好STM32的I2C外设,和GPIO

    2021-08-12 07:23

  • 求大神,3D效果图怎么会这样?

    求大神,3D效果图怎么会这样?

    2015-12-02 17:04

  • 光电子集成芯片

    光电子集成芯片,摩尔定律:摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月

    2021-07-27 08:18

  • 基于51单片机多路抢答器含倒计时开源效果图功能

    基于51单片机多路抢答器含倒计时开源效果图功能如下:活动规则:1、上电时,台号显示“00”,倒计时显示“00”,红灯和绿灯熄灭。2、当主持人按下“开始/清除”键时,台号显示“00”,倒计时数码管显示

    2021-07-14 08:00

  • 分享芯片和cpu制造流程

    芯片和cpu制造流程芯片芯片属于半导体,半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质。元素周期表中的、锗、硒的单质都属于半导

    2021-07-29 08:32

  • 《炬丰科技-半导体工艺》在上生长的 InGaN 激光二极管的腔镜的晶圆制造

    `书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:在上生长的 InGaN 激光二极管的腔镜的晶圆制造编号:JFSJ-21-034作者:炬丰科技 摘要:在 (Si) 上生长的直

    2021-07-09 10:21

  • MACOM:氮化镓器件成本优势

    不同,MACOM氮化镓工艺的衬底采用氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点,又比碳化硅氮化镓

    2017-09-04 15:02

  • 后级电鱼机制作方法相关资料分享

    ,初级用1.0的线3根,4T+4T并绕,次级用0.5的线绕120T,3525驱动两对75N75,次级倍压二极管整流308,倍压电容82U/450串,可控用1225,关断电感EC35用1.0线绕65T,关断电容5U电磁炉电容,整机有继电器防反接保护,后级电阻取样过流,短路保护!

    2021-05-31 06:18

  • 氮化镓在大功率LED的研发及产业化

    ,2013年1月达到140lm为/W。 芯片和蓝宝石的区别,蓝宝石是透明衬底,衬垂直结构,白光出光均匀,容易配二次光学。衬底氮化镓

    2014-01-24 16:08

  • GaN产品引领行业趋势

    不同,MACOM氮化镓工艺的衬底采用氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点,Wafer可以做的很大,目前在8英寸,未来可以做到10英寸、12英寸

    2017-08-29 11:21