碳基集成电路技术被认为是最有可能取代硅基集成电路的未来信息技术之一。“3微米级碳纳米管集成电路平台工艺开发与应用研究”的验收，标志着我国已经正式进入
2020-05-30 11:17
硅基氮化镓（SiGaN）集成电路芯片是一种新型的半导体材料，具有广阔的应用前景。它将硅基材料与氮化镓材料结合在一起，利用其优势来加速集成电路发展的速度。本文将介绍
2024-01-10 10:14
介绍了光量子芯片在未来实现可实用化大规模光量子计算与信息处理应用方面展示出巨大潜力，并对硅基集成光量子芯片技术进行介绍。
2023-11-30 10:33
微波光子集成芯片和硅基光子集成芯片都是光电子领域的重要技术，但它们在设计原理、应用领域以及制造工艺上存在着显著的区别。
2024-03-20 16:14
纸基微流控芯片是一种纸质基底芯片，具有性能优良、价格低廉的优势，然而其制备技术多依赖专业昂贵的设备，限制了纸基微流控芯片
2022-10-24 15:50
原理上看已经没有不可逾越的障碍。因此，本文将着重介绍碳基电子技术在后摩尔时代的本征优势，综述碳基电子技术的基础性问题、进展和下一步的优化方向，及其在数字集成电路、射频电
2022-03-16 14:53
硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮
2023-02-06 16:44
与传统的金属氧化物（LDMOS）半导体相比，硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%，每个单位面积的功率提升了4~6倍数，从而降低整体功耗，并且很重要的是能够扩展至高频率应用。同时
2018-11-10 11:29
本文介绍了光电集成芯片的最新研究突破，解读了工业界该领域的发展现状，包括数据中心互连的硅基光收发器的大规模商用成功，和材料、器件设计、异质集成平台方面的代表性创新。
2024-01-18 11:03
555单时基芯片和少量的阻容元件就可以构成单稳态触发器、无稳态触发器（多谐振荡器）、双稳态触发器和施密特触发器。下面介绍555单时基芯片构成的单稳态触发器、无稳态触发器
2019-10-13 16:28
