硅基光电子集成芯片，摩尔定律：摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月
2021-07-27 08:18
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓
2017-09-04 15:02
硅光电池输出不稳定怎么解决？做了个放大电路、放大硅光电池的输出信号，放大出来的信号会很漂？
2011-07-06 15:08
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸
2017-08-29 11:21
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅
2014-01-24 16:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑 单晶硅太阳能电池详细工艺
2012-08-06 11:49
触发同步电压。与VD4串联的发光二极管VD3用于电源指示。 CC7555时基电路与外接电阻、电容和电位器构成可控硅触发电路。充放电电容C1接至(5)脚再经电容C2接地，通电后，C1、C2同时充电
2021-05-13 06:02
描述EarthQuaker Devices 污垢发射器基于硅晶体管模糊电路。除了标准的 Tone、Level 和 Dirt 旋钮外，Dirt Transmitter 还具有一个 Bias 旋钮，用于模拟快要耗尽的电池的电压不足，以获得类似 Velcro 的绒毛音调
2022-08-10 06:40
可控硅元件一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称
2008-08-12 08:50
1 装置不定期烧逆变硅。此故障一般是过流过压系统出问题造成的。应着重检查5/0.1电流互感器和中频电压互感器的内部绕组是否断路。因为线径较细容易受环境不良气体腐蚀造成断线。其结果使过流限流过压限压
2013-09-25 10:18
