不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基
2017-09-04 15:02
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是
2023-06-15 15:53
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数
2014-01-24 16:08
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓
2019-09-02 07:16
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是，
2023-06-15 15:41
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化
2023-06-15 15:47
。 与硅芯片相比： 1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一 2、尺寸为硅
2023-08-21 17:06
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上，MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫
2017-07-18 16:38
兼首席执行官John Croteau表示：“本协议是我们引领射频工业向硅上氮化镓技术转化的漫长征程中的一个里程碑。截至今天，MACOM通过化合物半导体小厂改善并验证了
2018-02-12 15:11
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化
2023-06-15 14:17
