硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内
2023-02-06 16:44
与传统的金属氧化物（LDMOS）半导体相比，硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%，每个单位面积的功率提升了4~6倍数，从而降低整体功耗，并且很重要
2018-11-10 11:29
硅基氮化镓（SiGaN）集成电路芯片是一种新型的半导体材料，具有广阔的应用前景。它将硅基材料与
2024-01-10 10:14
由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配，自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器
2023-02-14 09:18
氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化
2024-01-10 10:08
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体。基于GaN的功率器件具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的导热性和更低的导通电阻，其性能明显优于硅基器件。
2022-12-09 09:54
的生产首先需要准备好所需的原材料。氮化镓是由高纯度金属镓和氮气通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制备而成。高纯度金属
2024-01-10 10:09
材料不同。传统的硅半导体芯片是以硅为基材，采用不同的工艺在硅上加工制造，而氮化镓半导体芯片则是以
2023-12-27 14:58
、电子设备领域： 1.1 功率放大器：氮化镓技术在功率放大器的应用中具有重要的意义。相比传统的硅基功率放大器，氮化
2024-01-09 18:06
