不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基
2017-09-04 15:02
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
，2013年1月达到140lm为/W。 硅芯片和蓝宝石的区别，蓝宝石是透明衬底，硅衬垂直结构，白光出光均匀，容易配二次光学。硅衬底
2014-01-24 16:08
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40
桥电路，提高可靠性；由于拓扑简化，采用硅基650V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通，所以实际等效导通损耗会比采用全桥拓扑的1000V碳化硅MOSFET要大；低寄生电容如输入
2016-08-05 14:32
，无论在产能和成本方面都比碳化硅基氮化镓器件更有优势。关于MACOMMACOM是一家新生代半导体器件公司，集高速增长、多元化和高盈利能力等特性于一身。公司通过为光学、无
2017-08-29 11:21
