硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内
2023-02-06 16:44
与传统的金属氧化物（LDMOS）半导体相比，硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%，每个单位面积的功率提升了4~6倍数，从而降低整体功耗，并且很重要
2018-11-10 11:29
硅基氮化镓（SiGaN）集成电路芯片是一种新型的半导体材料，具有广阔的应用前景。它将硅基材料与
2024-01-10 10:14
氮化镓（GaN）芯片是一种新型的功率半导体器件，具有很多优点和一些缺点。以下是关于氮化镓芯片的详细介绍。 优点： 1.高
2024-01-10 10:16
氮化镓（GaN）MOS管是一种基于氮化镓材料的金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。它具有许多优点和局限性，下面将详细介绍这些优点和局限性。 优点： 高电子流动
2024-01-09 17:26
氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化
2024-01-10 10:08
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用
2023-10-16 14:52
、电子设备领域： 1.1 功率放大器：氮化镓技术在功率放大器的应用中具有重要的意义。相比传统的硅基功率放大器，氮化
2024-01-09 18:06
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。
2020-02-12 13:25
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体。基于GaN的功率器件具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的导热性和更低的导通电阻，其性能明显优于硅基器件。
2022-12-09 09:54
