硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内
2023-02-06 16:44
与传统的金属氧化物（LDMOS）半导体相比，硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%，每个单位面积的功率提升了4~6倍数，从而降低整体功耗，并且很重要
2018-11-10 11:29
硅基氮化镓（SiGaN）集成电路芯片是一种新型的半导体材料，具有广阔的应用前景。它将硅基材料与
2024-01-10 10:14
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体。基于GaN的功率器件具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的导热性和更低的导通电阻，其性能明显优于硅基器件。
2022-12-09 09:54
氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化
2024-01-10 10:08
、电子设备领域： 1.1 功率放大器：氮化镓技术在功率放大器的应用中具有重要的意义。相比传统的硅基功率放大器，氮化
2024-01-09 18:06
最近，氮化镓基蓝色、绿色和紫外线发光二极管取得了巨大进展。这些氮化物基发光二极管也有可能用于固态照明。然而，为了实现固态
2022-04-12 15:31
传统上，半导体生产中最常用的材料是硅（Si），因为它丰富且价格合理。但是，半导体制造商可以使用许多其他材料。此外，它们中的大多数还提供额外的好处，例如碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）和氮化
2022-12-13 10:00
氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构：
2024-01-10 10:18
的生产首先需要准备好所需的原材料。氮化镓是由高纯度金属镓和氮气通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制备而成。高纯度金属镓用于制备Ga热源，而氮气则用于
2024-01-10 10:09
