封装密度完美融合。特别是硅微光子技术，它与硅CMOS芯片制造类似，可带来高密度、低成本以及性能可扩展等诸多优势。主要优势
2017-11-02 10:25
本高昂。迄今为止，通过CFT能够实现的光耦合效率仅为50％。而凭借EFT技术，激光器面和硅芯片均通过高精度光刻工艺界定，并且EFT激光器通过专有的自对准(SAEFT)工
2017-10-17 14:52
芯片和cpu制造流程芯片芯片属于半导体，半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质。元素周期表中的硅、锗、硒的单质都属于半导
2021-07-29 08:32
。经过近年的研究,一些用于光互连的分立器件的特性已经接近于设计的指标,但是,对于分立器件的集成,至少在今后很长时间内,还是以采用混合集成的方法为主。2）基于与硅基的集成电路技术的兼容和成本等考虑,仍然会
2016-01-29 09:23
的对准问题特别突出。虽然有很多的相关技术如有源和无源对准、自对准等,但都不是很理想。而且,很多的光互连技术是基于混合集成,光电芯片的单片集成困难很大。因此,
2016-01-29 09:21
互连 等。1）自由空间光互连技术通过在自由空间中传播的光束进行数据传输，适用于芯片之间或电路板之间这个层次上的连接，可以使互连密度接近光的衍射极限，不存在信道对带宽的限
2016-01-29 09:17
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 LED制造技术与应用
2012-08-17 16:27
。蚀刻技术：将没有受光阻保护的硅晶圆，以离子束蚀刻。光阻去除：使用去光阻液皆剩下的
2017-09-04 14:01
硅基光电子集成芯片，摩尔定律：摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月
2021-07-27 08:18
的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。那么，为何说7nm就是硅材料芯片的物理极限，碳纳米管复合材料又是怎么一回事呢？面对美国的技术突破，中国应该怎么做呢？XX nm制造
2021-07-28 07:55
