砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。砷
2018-03-01 14:55
砷化镓二极管是一种半导体器件,它由砷化镓(GaAs)材料制成,具有较
2023-02-16 15:12
氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)都是半导体材料领域的重要成员,它们在各自的应用领域中都展现出了卓越的性能。然而,要判断哪个更先进,并不是一个简单的二元对立问题,因为
2024-09-02 11:37
砷化镓(GaAs)是一种半导体材料,它是由镓(Ga)和砷(As)组成的化合物,具有较高的电子迁移率和较低的漏电流,因此在
2023-02-16 15:28
砷化镓射频(RF)元件凭藉着优异的杂讯处理及高线性等特色,成为高效能通讯设备开发人员长久以来的首选方案;然而,近来随着绝缘层覆矽(SOI)制程技术的突破,以矽材料为基础
2018-04-22 11:51
对于做激光应用的砷化镓基板,晶向有很重要的应用。关乎了激光芯片的成品质量和合格率,通过在wafer上划片,劈裂
2022-11-10 10:54
之前的砷化镓(GaAs)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)一样,氮化镓(GaN)是一项革命性技术,在实现未来的射频、微波和毫米波系统方面能够发挥巨大作用。不过,它
2022-03-22 13:01
砷化镓是第三代半导体,它是在第二代半导体的基础上发展而来的,具有更高的电子迁移率、更高的热导率、更高的光学性能、更高的热稳定性、更高的电磁屏蔽性能和更高的耐腐蚀性。
2023-02-16 15:59
测量磁场,电压和电流传感器会用到锑化铟和砷化镓线性霍尔(如HW300B,HW302B,HG302C,MH493等)。在使
2022-06-17 11:17
耦合电感元件的互感系数是描述两个电感元件之间相互影响程度的物理量,通常用字母M表示。互感系数的大小与电感元件的几何形状、
2024-08-09 15:29