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2020-08-31 15:40
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2011-04-15 18:24
随着半导体工业沿着摩尔定律的曲线急速下降 ,驱使加工工艺向着更高的电流密度、更高的时钟频率和更多的互联层转移。由于器件尺寸的缩小、光学光刻设备焦深的减小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度达到纳米级[1] 。传统的平面化技术如基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃 SOG、低压 CVD、等离子体增强 CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积 —腐蚀 —淀积等 , 这些技术在 IC 工艺中都曾获得应用。但是 , 它们虽然也能提供“光滑”的表面 , 却都是局部平面化技术 , 不能做到全局平面化。目前 , 已被公认的是 , 对于最小特征尺寸在0135μm 及以下的器件 , 必须进行全局平面化 , 为此必须发展新的全局平面化技术。 90 年 代 兴 起 的 新 型 化 学 机 械 抛 光 ( ChemicalMechanical Polishing , 简称 CMP) 技术则从加工性能和速度上同时满足了圆片图形加工的要求。CMP 技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术 , 它借助超微粒子的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面上形成光洁平坦表面[2、3] 。CMP 技术对于器件制造具有以下优点[1] (1) 片子平面的总体平面度: CMP 工艺可补偿亚微米光刻中步进机大像场的线焦深不足。 (2) 改善金属台阶覆盖及其相关的可靠性: CMP工艺显著地提高了芯片测试中的圆片成品率。 (3) 使更小的芯片尺寸增加层数成为可能: CMP技术允许所形成的器件具有更高的纵横比。
2023-09-19 07:23
半导体材料市场构成：在半导体材料市场构成方面，大硅片占比最大，占比为32.9%。其次为气体，占比为14.1%，光掩膜排名第三，占比 为12.6%，其后：分别为抛光液和抛光垫、光刻胶配套试剂、光刻胶、湿化学品、建设靶材，比分别为7.2%、6.9%、 6.1%、4%和
2021-01-22 10:48
，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻
2021-07-09 10:21
效应和绿色环保。中国新能源汽车在“十三五”期间将快速发展，届时将带动锂电池材料快速增长。我司可提供锂电池电极材料SEM测试，粒径测量，锂电池电池材料涂片氩离子抛光制样，为锂电池电极材料行业提供好的研发
2017-07-07 10:22
。角磨机适合用来切割、研磨及刷磨金属与石材，作业时不可使用水。切割石材时必须使用引导板。针对配备了电子控制装置的机型，如果在此类机器上安装合适的附件，也可以进行研磨及抛光作业。 二、电动角磨机的用途 角
2023-04-20 15:00
及滤波电路。G:超大规格陶瓷片应 用：H:抛光类陶瓷基片，可进行单、双面抛光加工，表面光洁度经抛光处理后达到Ra:0.03-0.05μm，无孔洞现象，产品适合体积小、精度高、布线密度高。A:陶瓷绝缘
2017-05-18 16:20
`Nano30传感器是由美国PAC公司生产，适应小型石材试块的裂纹扩展破坏检测、金属小试样的金属裂纹检测。湖南恩递替科技有限公司提供，QQ:2774717249谐振点灵敏度V/(m/s):62dB
2020-04-26 16:39
双面敷铜板 4，敷铜板双面抛光 5，数控钻孔 6，抛光 8，烘干 9，检查是否有瑕疵B部分 1，配制好阻焊油墨和字符油墨二：做过孔 1，整孔3，水洗 4，烘干 5，检查孔是否存在瑕疵 6，黑孔（为过孔
2014-11-18 17:19
