MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 07:46
是沟道区，n+区是漏区。对于p型TFET来说，p+区是漏区，i区是沟道区，n+区是源区。漏极电压用Vd表示，栅极电压用Vs表示，栅极电压用Vg表示。隧穿场效应晶体管是什么----隧穿场效应晶体管工作原理隧
2018-10-19 11:08
、漏极电流等参数。选用音频功率放大器推挽输出用VMOS大功率场效应晶体管时，要求两管的各项参数要一致（配对），要有一定的功率余量。所选大功率管的最大耗散功率应为放大器输出功率的0.5~1倍,漏源击穿电压应为功放工作电压的2倍以上。
2021-05-13 07:10
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑 MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 08:22
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
MOS_场效应晶体管
2012-08-20 08:21
MOS场效应晶体管
2012-08-20 08:51
电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，场效应晶体管工作良好，而输入电压降低
2019-04-16 11:22
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型
2021-05-24 06:27
才能，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。9m是权衡场效应晶体管放大才能的重要参数。（5）漏源击穿电压漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应晶体管正常工作所能接受的漏源电压
2019-04-04 10:59
