场效应晶体管是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件，并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极晶体管。场效应晶体管英文是
2023-05-16 15:02
本文探讨了鳍式场效应晶体管的结构、它们在各种应用中的用途，以及它们相对于 MOSFET 的优缺点。 什么是鳍式场效应晶体管？ 鳍式场效应晶体管是一种晶体管。作为
2023-02-24 15:25
MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 07:46
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的场效应晶体管的特性测量”。电路和普通的测量场效应晶体管特性的电路基本一样，只是需要能够调整
2014-04-11 12:06
。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。场效应晶体管作用是什么1、场效应
2019-05-08 09:26
、漏极电流等参数。选用音频功率放大器推挽输出用VMOS大功率场效应晶体管时，要求两管的各项参数要一致（配对），要有一定的功率余量。所选大功率管的最大耗散功率应为放大器输出功率的0.5~1倍,漏源击穿电压应为功放工作电压的2倍以上。
2021-05-13 07:10
场效应晶体管 场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即
2009-05-24 23:11
场效应晶体管(Field Effect Transistor，简称FET)是一种半导体器件，它是一种基于电场效应的三极管。与普通的三极管相比，场效应晶体管的控制电流非常小，因此具有高输入阻抗和低噪声等优点。
2023-05-17 15:15
是沟道区，n+区是漏区。对于p型TFET来说，p+区是漏区，i区是沟道区，n+区是源区。漏极电压用Vd表示，栅极电压用Vs表示，栅极电压用Vg表示。隧穿场效应晶体管是什么----隧穿场效应晶体管工作原理隧
2018-10-19 11:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑 MOS场效应晶体管的结构_工作原理
2012-08-20 08:22
