1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。 为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。
2024-01-30 11:38
问题，如短沟道效应（DIBL、迁移率退化…）、栅极漏电、泄漏功率大等诸多问题，原先的结构开始力不从心，没有办法从现有的工艺制程中得到优良的结果，于是各个专家大佬不断的从材料、结构、工艺这三个方面找花样，解决问题，为下一代的工艺制程提供方案。
2020-12-10 06:55
绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS＝0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS＝0 时，漏、源之间存在
2019-09-30 09:02
如图：这个N沟道场效应管，这样接行不行？
2023-11-26 22:22
，Ichiro提到利用短沟道效应，通过使用不同的沟道长度，配合不同的阈值电压。实现Q2工作在饱和区，从而实现较高的输出阻抗（反向短
2021-06-24 06:56
场效应管电路有问题吗？用的是P沟道增强型场效应管BSS84,电路如下，经常GS间损坏，损坏后两脚间有5K左右的电阻造成微导通D端有电压输出。电路有问题吗？是什么原因。
2019-10-18 22:00
1 图中圆圈处，TFT 沟道中间那块金属的作用，既没有跟源级连，也没跟漏级连接。2 TFT 源级跟漏级短接的作用？图中圆圈处
2017-02-12 19:35
MOSFET显示出令人反感的短通道效应。 将栅极长度（Lg）缩小到90 nm以下会产生明显的漏电流，而在28 nm以下，漏电流过大，使晶体管失效。因此，随着栅极长度的缩小，抑制关断状态泄漏至关重要。 提高
2023-02-24 15:25
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00
场效应管的特性是什么场效应管的主要参数有哪些场效应管怎么选用？场效应管的选用注意事项？
2021-04-20 06:49
