随着科学技术的发展,集成电路的集成密度不断地在提高,MOS晶体管器件的尺寸也逐年缩小, 当MOS管的沟道长度小到一定值之后,出现的短沟道效应将对器件的特性产生影响
2011-07-04 10:29
短沟道效应严重制约了硅基晶体管尺寸的进一步缩小,限制了其在先进节点集成电路中的应用。开发新材料和新技术对于维系摩尔定律的延续具有重要意义。
2024-12-06 11:02
随着芯片特征尺寸的不断减小,传统的平面MOSFET由于短沟道效应的限制,难以继续按摩尔定律缩小尺寸。
2024-03-26 10:19
随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到90nm及以下时,短沟道效应中的器件亚阈值电流成为妨碍工艺进一步发展的主要因素,尽管提高沟道掺杂浓度可以在一定程度上抑制短
2019-09-06 08:47
氮化镓太赫兹HEMT研究中,短沟道效应导致的跨导降低,将直接影响器件频率特性。尽管高铝组分与超薄势垒外延结构可以缓解短沟道效应带来的问题,但同时也引起了欧姆接触难以制备
2018-11-06 14:59
源漏扩展结构(Source/Drain Extension,SDE)在控制 MOS 器件的短沟道效应中起到重要作用。SDE(源漏扩展结构)引入了一个浅的源漏扩展区,以连接沟道和源漏区域。结深的微缩
2025-05-27 12:01
随着晶体管尺寸的逐步缩小,其特征尺寸也在不断缩小,当特征尺寸到了22nm,平面晶体管由于其栅极对于沟道的控制能力较弱而出现短沟道效应,逐渐被一种新型的晶体管所取代,即鳍式场效应
2024-04-02 11:05
随着传统平面晶体管的尺寸缩小,器件物理学家称为短沟道效应的器件占据了中心位置。总的来说,由于源极和漏极之间的距离变得非常小,电流会在不应该泄漏的时候漏过沟道,因为栅电极会千方百计耗尽
2023-03-22 16:19
FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构,旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管转换为三维结构来减少短沟道效应,从而允许更小、更快且功耗更低的晶体管。本文
2025-02-17 14:15